Týden dlouhá výdrž baterie? IBM a Samsung slibují čipovou revoluci
18.12.2021|
Chytré technologie|
Jaká bude realita jasné není, ale nový design vertikálních tranzistorů by mohl zefektivnit výkon tranzistorů a vrátit tak již téměř pohřbený Moorův zákon. Současné polovodiče využívají takzvaný field-effect design tranzistorů (finFET), vertikální design IBM a Samsungu by mohl redukovat energetickou náročnost u chytrých telefonů až o těžko uvěřitelných …